高頻光電導少數載流子壽命測試儀 LT-1
1、概述
LT-1高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料組織SEMI標準（F28-75）及標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。
高頻光電導少數載流子壽命測試儀 LT-1
2、技術參數
（1）壽命測試范圍：5~10000μs；電阻率測量范圍：ρ≥2Ω·cm
測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm（表面可能需要拋光處理）
測量重復性誤差≤±20%
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率＞20~30次/s，光脈沖關斷時間：0.2~1μs，余輝＜1μs
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶），紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源
脈沖電源：5A～20A
（3）高頻源
高頻振蕩源：石英諧振器；頻率：30MHz；低輸出阻抗，輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
放大倍數約25倍，頻寬：2Hz～2MHz
（5）儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測豎放單晶橫載面的壽命
可測單晶尺寸：
斷面豎測：直徑25～150，厚度2mm～500mm
縱向臥測：直徑5mm～150mm，長度50mm～800mm
（6）讀數方式：可選配載流子壽命測試軟件系統或數字示波器讀數，軟件系統測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。
